在1962年诞生的初始，LED只是激光技术的副产品，但是经过岁月的打磨，它已经成为了照明业的王者。
历史回顾
1907年，英国马可尼(Marconi)实验室的科学家Henry Round第一次推论半导体PN结在一定的条件下可以发出光。这个发现奠定了LED被发明的物理基础。
1927年，俄罗斯科学家奥列弗拉基洛谢夫(Oleg Vladimirovich Losev)独立制作了世界上第一颗LED，其研究成果曾先后在俄国、德国和英国的科学杂志上发表，可惜当时并没有人理睬他。
1955年，美国无线电公司(RadioCorporation of America)33岁的物理学家鲁宾·布朗石泰(Rubin Braunstein)首次发现了砷化镓(GaAs)及其他半导体合金的红外放射作用并在物理上实现了二极管的发光，可惜发出的光不是可见光而是红外线，但这个贡献也很大了。
1961年，德州仪器公司(TI)的科学家鲍勃·布莱德(Bob Biard)和加里·皮特曼(Gary Pittman)发现砷化镓在施加电子流时会释放红外光辐射。他们率先生产出了用于商业用途的红外LED并获得了砷化镓红外二极管的发明专利。不久，红外LED就被广泛应用于传感及光电设备当中。
1962年，美国通用电气公司(GE)一名34岁的普通研究人员尼克·何伦亚克(Nick Holonyak Jr.)发明了可以发出红色可见光的LED，被称为“发光二极管之父”，后来也获得了N多奖项。当时的LED还只能手工制造，而且每只的售价需要10美元。1963年，他离开通用电气公司，出任其母校美国伊利诺大学电机工程系教授，培养自己的接班人。
1972年，何伦亚克的学生乔治·克劳福德(M. George Craford)踏着前辈们的脚步发明了第一颗橙黄光LED，其亮度是先前红光LED的10倍，这标志着LED向着提高发光效率方向迈出的第一步。
20世纪70年代末期，LED已经出现了红、橙、黄、绿、翠绿等颜色，但依然没有蓝色和白色光的LED。因为只有发明出蓝光LED才可能实现全彩色LED显示，市场价值巨大，也是当时世界性的攻关难题。科学家们转而将重点放在了提高LED的发光效率上面。
20世纪70年代中期，LED可产生绿、黄、橙色光时，发光效为1流明/瓦，到了20世纪80年代中期对砷化镓和磷化铝的使用使得第一代高亮度红、黄、绿色光LED诞生，发光效率已达到10流明/瓦。
1993年，中村修二在日本日亚化学工业株式 会社(Nichia Corporation)就职期间，利用半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(InGaN)发明了蓝光LED，在蓝光LED出现之前，由于无法通过RGB系统合成白光，LED的光效、亮度也不高，LED无法应用于照明领域。因此在1995年中村修二采用铟氮化稼又发明了绿光LED，在1998年利用红、绿、蓝三种LED制成白光LED，从此绿光与白光LED研制成功，标志着LED正式进入照明领域，是LED照明发展最关键的里程碑。中村修二被称为“蓝光、绿光、白光LED之父”
1996年，日亚化学公司在日本最早申报的白光LED的发明专利就是在蓝光LED芯片上涂覆YAG黄色荧光粉，通过芯片发出的蓝光与荧光粉被激活后发出的黄光互补而形成白光。蓝色和白色光LED的出现拓宽了LED的应用领域，使全彩色LED显示、LED照明等应用成为可能。
21世纪初，LED已经可以发出任何可见光谱颜色的光(还包括有红外线和紫外线)。其发光效率已经达到100流明/瓦以上.发光机理
LED取自Light Emitting Diode三个字的缩写，中文译为“发光二极管”，具有二极管的特性。LED的心脏是一个半导体的晶片。晶片主要由P型半导体和N型半导体组成，不同材料的P型和N形半导体经正向电流作用下会发出不同色彩的光。
优点和缺点先说优点：
1.节能,比白炽灯节能80%以上,比节能灯节能50%以上
2.体积小，重量轻，不怕震动
3.光效高，是白炽灯15m/w的8倍，是荧光灯50 Lm/w的2倍多
4.光色可选择，LED光源的发光颜色和色温都可以灵活应用
5.方向性好，LED发光角度可以灵活调整
6.环保：没有节能灯所含的汞等有害物质
7.冷光源无紫外线和红外线，故没有热量，没有辐射。
8.寿命长,寿命可达5万-10万小时比传统光源寿命长10-50倍以上。
9.响应速度快，纳秒级。
再说缺点
1.散热问题，LED在电致光的过程中另外一部分能量转化成热量，如无法及时散发出去，PN结的结温将会升高，加速芯片和封装树脂的老化，使芯片失效，影响LED的使用寿命与发光表现
2.防水性能差，是户外使用的一个致命弱点光源内部吸水后内部金属氧化影响输出或产生内应力、荧光粉吸潮变色,光色漂移
3.成本较高.光源.散热器.电源.高透灯罩/透镜/反射罩.四者成本集体推高LED成本
4.需要驱动器提供恒流电源，驱动器寿命是影响灯具寿命的重要因素
5.半导体器件，对静电影响比较敏感，易被静电击穿PN结导致漏电流或死灯
